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填空題功率因數(shù)由（）和（）這兩個(gè)因素共同決定的。

1.填空題（）存在二次擊穿現(xiàn)象，（）存在擎住現(xiàn)象。

2.問答題簡(jiǎn)述實(shí)現(xiàn)有源逆變的基本條件，并指出至少兩種引起有源逆變失敗的原因。

3.問答題簡(jiǎn)述晶閘管導(dǎo)通的條件與關(guān)斷條件。

4.單項(xiàng)選擇題IGBT是一個(gè)復(fù)合型的器件，它是（）。

A.GTR驅(qū)動(dòng)的MOSFET
B.MOSFET驅(qū)動(dòng)的GTR
C.MOSFET驅(qū)動(dòng)的晶閘管
D.MOSFET驅(qū)動(dòng)的GTO

5.單項(xiàng)選擇題已經(jīng)導(dǎo)通的晶閘管的可被關(guān)斷的條件是流過晶閘管的電流（）。

A.減小至維持電流以下
B.減小至擎住電流以下
C.減小至門極觸發(fā)電流以下
D.減小至5A以下

6.單項(xiàng)選擇題為限制功率晶體管的飽和深度，減少存儲(chǔ)時(shí)間，桓流驅(qū)動(dòng)電路經(jīng)常采用（）。

A.du/dt抑制電路
B.抗飽和電路
C.di/dt抑制電路
D.吸收電路

7.單項(xiàng)選擇題直流斬波電路是一種（）變換電路。

A.AC/AC
B.DC/AC
C.DC/DC
D.AC/DC

8.單項(xiàng)選擇題桓流驅(qū)動(dòng)電路中加速電容C的作用是（）。

A.加快功率晶體管的開通
B.延緩功率晶體管的關(guān)斷
C.加深功率晶體管的飽和深度
D.保護(hù)器件

9.單項(xiàng)選擇題電阻性負(fù)載三相半波可控整流電路中，控制角的范圍是（）。

A.30°～150
B.0°～120°
C.15°～125°
D.0°～150°

10.單項(xiàng)選擇題 對(duì)于單相交交變頻電路如下圖，在t1~t2時(shí)間段內(nèi)，P組晶閘管變流裝置與N組晶閘管變流裝置的工作狀態(tài)是（）。

A.P組阻斷，N組整流
B.P組阻斷，N組逆變
C.N組阻斷，P組整流
D.N組阻斷，P組逆變