金屬化中可選用的金屬材料有（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質(zhì)量的指標？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

常壓的硅外延方法有（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。