目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

常壓的硅外延方法有（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

摻雜后，退火的目的是（）。