電路結(jié)構(gòu)如下圖所示,該電路實現(xiàn)的邏輯單元為()。
A.AND2
B.NAND2
C.BUFFER
D.NOR2
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電路結(jié)構(gòu)如下圖所示,該電路實現(xiàn)的邏輯單元為()。
A.INV
B.NAND2
C.BUFFER
D.OR2
A.NAND2
B.AND2
C.INV
D.BUFFER
A.開關(guān)電路完全由受輸入狀態(tài)控制的開關(guān)構(gòu)成
B.輸入高電平使開關(guān)接通,低電平使開關(guān)斷開
C.輸出通過開關(guān)連接電源和接地,獲取高電平或低電平
D.不能將開關(guān)電路中所有開關(guān)都接通
A.NMOS開關(guān)可用于輸出獲取高電平的連接
B.NMOS開關(guān)只用于輸出獲取低電平的連接
C.MOS開關(guān)良好導(dǎo)通時,G與S的狀態(tài)一定相反
D.MOS開關(guān)良好導(dǎo)通時,G與D的狀態(tài)可能相同
A.INV
B.NAND2
C.NOR3
D.AND2
最新試題
?如圖電路,描述正確的是()。
?下圖邏輯單元實現(xiàn)的功能為()。
?利用開關(guān)代數(shù)的公理或定理,判斷與(x+y’)’等價的邏輯關(guān)系為()。
使用74HC138實現(xiàn)邏輯函數(shù)正確的是()。
與模擬電路相比,數(shù)字系統(tǒng)的優(yōu)越性主要體現(xiàn)在()。
電路結(jié)構(gòu)如圖所示,該電路是()。
要使CMOS門輸入高電平,不能使用的方法為()。
為實現(xiàn)將D觸發(fā)器轉(zhuǎn)換為T觸發(fā)器,下圖所示電路的虛框內(nèi)應(yīng)是()。
?構(gòu)成數(shù)字電路最基本的器件主要有()。
TTL門電路具有負載能力強、抗干擾能力強和轉(zhuǎn)換速度高等特點。