IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）