芯片粘接的工藝過程包括（）。

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。