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問(wèn)答題摻雜的主要目的是什么？給出硅片制造中的三種主要摻雜應(yīng)用。

1.問(wèn)答題 根據(jù)下圖給出的一氧化工藝的菜單實(shí)例，試說(shuō)明：
（1）該工藝采用的氧化方法
（2）每一步驟的具體作用（或狀態(tài)）
（3）氮?dú)庠谡麄€(gè)工藝流程中的作用
（4）工藝過(guò)程中加入HCl的主要作用

2.問(wèn)答題氧化系統(tǒng)的基本組成結(jié)構(gòu)及每一部分的主要作用。

3.問(wèn)答題什么是氧化層固定電荷？其產(chǎn)生的主要原因是什么？它對(duì)半導(dǎo)體器件的電學(xué)特性有何影響？工藝中可以用什么辦法來(lái)解決？

4.問(wèn)答題列出Si—SiO₂界面處的四種電荷，說(shuō)明鈉離子是屬于哪一類電荷，以及這一類電荷會(huì)導(dǎo)致芯片出現(xiàn)什么問(wèn)題，工藝中如何解決這一問(wèn)題？

5.問(wèn)答題試說(shuō)明高壓氧化技術(shù)的原理（或依據(jù)）及主要作用，并說(shuō)明高低壓氧化各自的控制機(jī)制和氧化層厚度的變化規(guī)律。