在PN 結中，P 區(qū)的電勢比N 區(qū)高。

根據(jù)空位機制下的總擴散系數(shù)公式，給出本征硅，低濃度摻雜，N型重摻雜及P型重摻雜下的擴散系數(shù)公式。

純凈的半導體稱為本征半導體。

二極管交流等效電路參數(shù)與其靜態(tài)參數(shù)無關。

試說明擴散工藝中常用的擴散摻雜方法，并說明當前實際工藝中使用的主要方法及理由。

試說明半導體制造中擴散工藝的主要目的。列出并解釋實際擴散工藝的主要步驟，并說明個步驟的主要作用和工藝溫度。

淀積擴散主要受哪些因素的控制？

舉例說明什么是同型摻雜和反型摻雜及各自的目的。

點接觸型比面接觸型二極管的結電容面積小，因此其最高工作頻率低。

明兩步擴散法的基本思想，及其每一步工藝的主要特點和目的。