MOS管版圖一般匹配原則有（）。

版圖繪制時一般用哪個圖層來實現(xiàn)器件連接？（）

我們利用LOCOS技術(shù)制作MOS中的（）。

無論是施加正偏壓還是反偏壓，MOS電容都是一種線性電容。

集成電路的制造工藝，需要采用隔離技術(shù)，常見的隔離方法有（）。

外延雙阱工藝的優(yōu)點包括（）。

薄柵管ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的ESD保護(hù)能力通常為多少？（）

未進(jìn)行摻雜的二氧化硅薄膜，通常簡寫為（）。

在制作MOS管時，采用LOCOS工藝容易出現(xiàn)（）。

在組合電路中，NMOS管串聯(lián)實現(xiàn)的是什么邏輯？（）