濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

光刻工藝的特點包括（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。