光刻工藝的特點包括（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

光刻工藝對準誤差包括（）。

如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）

互連工藝中AL的制備可選用（）。

CMP的設備構成包括（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產生二氧化硅層，厚度約為（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

目前制備SOI材料的主流技術有幾種？（）