摻雜后，退火的目的是（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。