計算圖示或非門的驅動能力。為保證最壞工作條件下，各邏輯門的驅動能力與標準反相器的特性相同，N管與P管的尺寸應如何選?。?br />
在圖中標注出上升時間tr、下降時間tf、導通延遲時間、截止延遲時間，給出延遲時間tpd的定義。若希望tr=tf，求WN/WP。
最新試題
半導體獲得廣泛應用的原因是（）
試說明半導體制造中擴散工藝的主要目的。列出并解釋實際擴散工藝的主要步驟，并說明個步驟的主要作用和工藝溫度。
PN 結的單向導電性與外加電壓頻率無關。
OED/ORD
與多數(shù)載流子相比，少數(shù)載流子的濃度受溫度影響大。
在PN 結中，P 區(qū)的電勢比N 區(qū)高。
純凈的半導體稱為本征半導體。
淀積擴散主要受哪些因素的控制？
在P 型半導體中，空穴濃度大于自由電子濃度。
若在直流電路中硅二極管導通，則其導通電壓均可認為0.7V。
