問(wèn)答題最初只知道一個(gè)特殊的硅器件摻雜是用離子注入方法制備的，后經(jīng)過(guò)測(cè)量得知： 表面雜質(zhì)濃度為4×1013cm-3，峰值在1800Å深處，峰值濃度為5×1017cm-3。假定離子注入服從對(duì)稱(chēng)高斯分布，你能估計(jì)出它的注入劑量是多少嗎？
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）
3.問(wèn)答題
如圖為鋁金屬化與銅金屬化工藝的比較。識(shí)別并描述每個(gè)工藝步驟。
4.問(wèn)答題
依照如圖，對(duì)硅片制造廠的六個(gè)分區(qū)分別做一個(gè)簡(jiǎn)短的描述，要求寫(xiě)出分區(qū)的主要功能、主要設(shè)備以及顯著特點(diǎn)。
5.多項(xiàng)選擇題對(duì)于CMOS晶體管，要得到良好受控的閾值電壓，需要控制（）等工藝參數(shù)。
A.氧化層厚度；
B.溝道中摻雜濃度；
C.金屬半導(dǎo)體功函數(shù)；
D.氧化層電荷。
最新試題
光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無(wú)各種廢品。
題型：判斷題
摻雜后，退火的目的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
消除鳥(niǎo)嘴效應(yīng)的方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題