進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。