單項(xiàng)選擇題?以下不屬于真空蒸發(fā)的局限性的是()。
A.生長(zhǎng)機(jī)理簡(jiǎn)單
B.工藝重復(fù)性
C.臺(tái)階覆蓋能力差
D.薄膜與襯底附著力小
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1.單項(xiàng)選擇題以下不屬于電子束加熱的優(yōu)點(diǎn)的是()。
A.蒸發(fā)溫度高
B.工藝設(shè)備簡(jiǎn)單
C.熱效率高
D.高純度淀積
2.單項(xiàng)選擇題?以下不屬于真空蒸發(fā)過(guò)程的是()。
A.氣相輸運(yùn)
B.薄膜淀積
C.薄膜定向
D.加熱蒸發(fā)
3.單項(xiàng)選擇題以下磷(P)源屬于氣態(tài)源的是()。
A.POCl3
B.P2O5
C.PH3
D.PCl3
4.單項(xiàng)選擇題?以下哪一項(xiàng)不屬于擴(kuò)散的局限性?()
A.工藝簡(jiǎn)單
B.高溫、深結(jié)
C.不能獨(dú)立控制結(jié)深和濃度
D.橫向擴(kuò)散
5.單項(xiàng)選擇題擴(kuò)散的雜質(zhì)分布包括()和有限表面源分布。
A.無(wú)限表面源分布
B.雜質(zhì)總量分布
C.恒定表面源分布
D.表面源分布
最新試題
關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì),說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在近十年由于材料和設(shè)備的發(fā)展,同時(shí)伴隨電子產(chǎn)品功能的日益增強(qiáng),()再次來(lái)到大眾視線
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
通常芯片上的引出端焊盤是排列在管芯片附近的方形()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
載帶自動(dòng)焊使用的凸點(diǎn)形狀一般有蘑菇凸點(diǎn)和柱凸點(diǎn)兩種。
題型:判斷題
根據(jù)焊點(diǎn)的形狀,引線鍵合有兩種形式,分別是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
引線鍵合的目的是將金線鍵合在晶片、框架或基板上。
題型:判斷題
鍵合點(diǎn)根部容易發(fā)生微裂紋,原因可能是鍵合操作中機(jī)械疲勞,也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。
題型:判斷題
下面選項(xiàng)中硅片減薄技術(shù)正確的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鍵合工藝失效,,鍵合點(diǎn)尾絲不一致,可能產(chǎn)生的原因有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
去飛邊毛刺工藝主要有介質(zhì)去飛邊毛刺、溶劑去飛邊毛刺、水去飛邊毛刺。
題型:判斷題