電路如圖所示，已知FET的I_DSS=3mA、U_P=－3V、U_（BR）DS=10V。試問在下列三種條件下，F(xiàn)ET各處于哪種狀態(tài)？（1）R_d=3.9kΩ；（2）R_d=10kΩ；（3）R_d=1kΩ。

放大電路如圖所示，已知場(chǎng)效應(yīng)管的I_DSS=1.6mA，U_p=-4V，r_ds忽略不計(jì)，若要求場(chǎng)效應(yīng)管靜態(tài)時(shí)的U_GSQ=-1V，各電容均足夠大。試求：（1）R_g1的阻值；（2）、R_i及R_o的值。

電路如圖所示，場(chǎng)效應(yīng)管的g_m=11.3ms，r_ds忽略不計(jì)。試求共漏放大電路的源電壓增益、輸入電阻R_i和輸出電阻R_o。

電路如圖所示，已知FET在Q點(diǎn)處的跨導(dǎo)g_m=2mS，λ=0，試求該電路的、R_i、R_o的值。

圖所示場(chǎng)效應(yīng)管工作于放大狀態(tài)，r_ds忽略不計(jì)，電容對(duì)交流視為短路?？鐚?dǎo)為g_m=1ms。
（1）畫出電路的交流小信號(hào)等效電路；
（2）求電壓放大倍數(shù)和源電壓放大倍數(shù)；
（3）求輸入電阻R_i和輸出電阻R_o。