常壓的硅外延方法有（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。