多項選擇題CMOS制作時，常常用作鈍化層的材料是（）。
A.氮化硅
B.二氧化硅
C.多晶硅
D.單晶硅
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1.多項選擇題集成電路的制造工藝，需要采用隔離技術(shù)，常見的隔離方法有（）。
A.外延隔離
B.埋層隔離
C.PN結(jié)隔離
D.介質(zhì)隔離
2.單項選擇題CMOS工藝中，將PMOS和NMOS的柵進行局部互連的材料是（）。
A.多晶硅
B.金屬鋁
C.金屬銅
D.鋁硅銅合金
3.單項選擇題為了實現(xiàn)全局平坦化，在集成電路中，經(jīng)常采用（）工藝。
A.反刻
B.CMP
C.SOG
D.高溫回流
4.單項選擇題以下工藝中，方塊電阻是一個重要的參數(shù)，一般用于衡量（）工藝中雜質(zhì)情況。
A.氧化
B.擴散
C.光刻
D.刻蝕
5.單項選擇題在制作MOS管時，采用LOCOS工藝容易出現(xiàn)（）。
A.溝道效應
B.鳥嘴效應
C.寄生效用
D.閂鎖效應
最新試題
反相器的版圖一般用到幾個pitch？（）
題型：單項選擇題
MOS管版圖一般匹配原則有（）。
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如果想在電路圖模式下編輯符號，可以選擇以下哪個命令？（）
題型：單項選擇題
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集成電路再分析軟件其處理的主要對象是（）。
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CMOS工藝中，將PMOS和NMOS的柵進行局部互連的材料是（）。
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集成電路版圖物理驗證必須要做的步驟主要有哪些？（）
題型：多項選擇題
CMOS制作時，常常用作鈍化層的材料是（）。
題型：多項選擇題
薄柵管ESD保護結(jié)構(gòu)的ESD保護能力通常為多少？（）
題型：單項選擇題