單項選擇題MOS晶體管的源區(qū)、漏區(qū)及源、漏之間的溝道區(qū)域通常稱為（）。
A.有源區(qū)
B.場區(qū)
C.襯底區(qū)
D.阱區(qū)
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1.單項選擇題氧化層中摻雜了硼雜質(zhì)，一般稱為（）。
A.PSG
B.BPSG
C.BSG
D.FSG
2.單項選擇題如果制作柵氧結(jié)構(gòu)，一般采用的方法是（）。
A.濕氧氧化
B.氫氧合成
C.CVD
D.干氧氧化
最新試題
顯影后，被曝光區(qū)域的光刻膠被去除，該種光刻膠稱為（）。
題型：單項選擇題
MOS管版圖一般匹配原則有（）。
題型：多項選擇題
外延雙阱工藝的優(yōu)點包括（）。
題型：多項選擇題
電源線和地線一般用什么圖層來畫？（）
題型：單項選擇題
為了實現(xiàn)全局平坦化，在集成電路中，經(jīng)常采用（）工藝。
題型：單項選擇題
光刻時，必須將硅片與掩模版進行對準，不同的掩模版之間也要對準，可以采用仔細觀察的方法。
題型：判斷題
如果想在電路圖模式下編輯符號，可以選擇以下哪個命令？（）
題型：單項選擇題
源漏注入之后，必須進行（）工藝，修復(fù)晶格損傷，激活雜質(zhì)。
題型：單項選擇題
集成電路版圖物理驗證必須要做的步驟主要有哪些？（）
題型：多項選擇題
展現(xiàn)電路的邏輯電路連接的是哪種視圖模式?（）
題型：單項選擇題