多項(xiàng)選擇題
看圖判斷，下列哪種描述正確？（）
A.圖（b）是注入的低能離子
B.圖（b）是注入的高能離子
C.圖（a）是注入的低能離子
D.圖（a）是注入的高能離子
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1.多項(xiàng)選擇題擴(kuò)散系數(shù)是表征擴(kuò)散快慢的參數(shù)，它相當(dāng)于單位濃度梯度時(shí)的擴(kuò)散通量，所以它（）
A.單位為m2/s
B.有單位
C.無單位
D.單位為m/s
2.多項(xiàng)選擇題?P在兩歩擴(kuò)散工藝中，第二步再分布的同時(shí)又進(jìn)行了熱氧化（kp=10），這會(huì)給再分布擴(kuò)散帶來哪些影響？（）
A.P擴(kuò)散速度加快
B.擴(kuò)入Si的P總量下降
C.在SiO2/Si界面Si一側(cè)的P耗竭（是指低于SiO2一側(cè)）
D.在SiO2/Si界面Si一側(cè)的P堆積（是指高于SiO2一側(cè)）
3.多項(xiàng)選擇題?硅恒定源擴(kuò)散，在擴(kuò)散溫度硅的固溶度為Ns，在進(jìn)行了40min擴(kuò)散后，測(cè)得結(jié)深是1.5μm，若要獲得2.0μm的結(jié)深，在原工藝基礎(chǔ)上應(yīng)再擴(kuò)散多少分鐘？硅表面雜質(zhì)濃度是多少？（）
A.雜質(zhì)表面濃度< Ns
B.雜質(zhì)表面濃度=Ns
C.應(yīng)再擴(kuò)散71min
D.表面雜質(zhì)濃度等于該工藝溫度時(shí)硅的固溶度
4.單項(xiàng)選擇題多晶硅薄膜通常采取哪種方法制備？（）
A.磁控濺射
B.VPE
C.LPCVD
D.APCVD
5.單項(xiàng)選擇題?基于LSS理論，離子注入受到靶原子核與電子的阻止，（）。
A.核阻止和電子阻止是獨(dú)立的
B.核阻止本領(lǐng)>電子阻止本領(lǐng)
C.核阻止本領(lǐng)< 電子阻止本領(lǐng)
D.核阻止和電子阻止與入射離子能量無關(guān)
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題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題