多項選擇題關(guān)于鋁膜下列哪種說法正確？（）
A.耐腐蝕性好
B.與硅接觸可能出現(xiàn)尖楔現(xiàn)象
C.抗電遷移性差
D.穩(wěn)定性好
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1.多項選擇題
看圖判斷，下列哪種描述正確？（）
A.圖（b）是注入的低能離子
B.圖（b）是注入的高能離子
C.圖（a）是注入的低能離子
D.圖（a）是注入的高能離子
2.多項選擇題擴散系數(shù)是表征擴散快慢的參數(shù)，它相當(dāng)于單位濃度梯度時的擴散通量，所以它（）
A.單位為m2/s
B.有單位
C.無單位
D.單位為m/s
3.多項選擇題?P在兩歩擴散工藝中，第二步再分布的同時又進行了熱氧化（kp=10），這會給再分布擴散帶來哪些影響？（）
A.P擴散速度加快
B.擴入Si的P總量下降
C.在SiO2/Si界面Si一側(cè)的P耗竭（是指低于SiO2一側(cè)）
D.在SiO2/Si界面Si一側(cè)的P堆積（是指高于SiO2一側(cè)）
4.多項選擇題?硅恒定源擴散，在擴散溫度硅的固溶度為Ns，在進行了40min擴散后，測得結(jié)深是1.5μm，若要獲得2.0μm的結(jié)深，在原工藝基礎(chǔ)上應(yīng)再擴散多少分鐘？硅表面雜質(zhì)濃度是多少？（）
A.雜質(zhì)表面濃度< Ns
B.雜質(zhì)表面濃度=Ns
C.應(yīng)再擴散71min
D.表面雜質(zhì)濃度等于該工藝溫度時硅的固溶度
5.單項選擇題多晶硅薄膜通常采取哪種方法制備？（）
A.磁控濺射
B.VPE
C.LPCVD
D.APCVD