CMOS工藝中，將PMOS和NMOS的柵進(jìn)行局部互連的材料是（）。

未進(jìn)行摻雜的二氧化硅薄膜，通常簡(jiǎn)寫為（）。

外延雙阱工藝的優(yōu)點(diǎn)包括（）。

摩爾定律中每一代集成電路上晶體管密度翻倍值是多少？（）

集成電路的制造工藝，需要采用隔離技術(shù)，常見(jiàn)的隔離方法有（）。

薄柵管ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的ESD保護(hù)能力通常為多少？（）

集成電路再分析軟件其處理的主要對(duì)象是（）。

集成電路版圖物理驗(yàn)證必須要做的步驟主要有哪些？（）

在制作MOS管時(shí)，采用LOCOS工藝容易出現(xiàn)（）。

用四端器件繪制電路圖時(shí)，NMOS管和PMOS管的襯底連接正確的是（）。