單項(xiàng)選擇題集成電路再分析軟件其處理的主要對(duì)象是（）。
A.GDS II文件
B.實(shí)物芯片照片
C.cadence中繪制的版圖
D.芯片電路圖
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你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題摩爾定律中每一代集成電路上晶體管密度翻倍值是多少？（）
A.1倍
B.2倍
C.3倍
D.4倍
4.多項(xiàng)選擇題外延雙阱工藝的優(yōu)點(diǎn)包括（）。
A.實(shí)現(xiàn)N阱和P阱獨(dú)立控制
B.更平坦的表面
C.做在阱區(qū)內(nèi)的器件可以減少受到α粒子輻射的影響
D.抑制閂鎖效應(yīng)
5.多項(xiàng)選擇題CMOS制作時(shí)，常常用作鈍化層的材料是（）。
A.氮化硅
B.二氧化硅
C.多晶硅
D.單晶硅
最新試題
光刻時(shí)，將掩模版直接放在晶圓表面，與表面的光刻膠接觸，該種光刻方式稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
集成電路再分析軟件其處理的主要對(duì)象是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
如果想在電路圖模式下編輯符號(hào)，可以選擇以下哪個(gè)命令？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
薄柵管ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的ESD保護(hù)能力通常為多少？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
MOS結(jié)構(gòu)指的是金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的簡稱。
題型：判斷題
顯影后，被曝光區(qū)域的光刻膠被去除，該種光刻膠稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
無論是施加正偏壓還是反偏壓，MOS電容都是一種線性電容。
題型：判斷題
為了實(shí)現(xiàn)全局平坦化，在集成電路中，經(jīng)常采用（）工藝。
題型：單項(xiàng)選擇題
CMOS工藝中，將PMOS和NMOS的柵進(jìn)行局部互連的材料是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
我們利用LOCOS技術(shù)制作MOS中的（）。
題型：單項(xiàng)選擇題