多項(xiàng)選擇題集成電路版圖物理驗(yàn)證必須要做的步驟主要有哪些？（）
A.DRC
B.ERC
C.LVS
D.SVS
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1.單項(xiàng)選擇題集成電路再分析軟件其處理的主要對(duì)象是（）。
A.GDS II文件
B.實(shí)物芯片照片
C.cadence中繪制的版圖
D.芯片電路圖
2.單項(xiàng)選擇題摩爾定律中每一代集成電路上晶體管密度翻倍值是多少？（）
A.1倍
B.2倍
C.3倍
D.4倍
5.多項(xiàng)選擇題外延雙阱工藝的優(yōu)點(diǎn)包括（）。
A.實(shí)現(xiàn)N阱和P阱獨(dú)立控制
B.更平坦的表面
C.做在阱區(qū)內(nèi)的器件可以減少受到α粒子輻射的影響
D.抑制閂鎖效應(yīng)
最新試題
電源線和地線一般用什么圖層來(lái)畫(huà)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
以下工藝中，方塊電阻是一個(gè)重要的參數(shù)，一般用于衡量（）工藝中雜質(zhì)情況。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CMOS制作時(shí)，常常用作鈍化層的材料是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
集成電路的制造工藝，需要采用隔離技術(shù)，常見(jiàn)的隔離方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
用四端器件繪制電路圖時(shí)，NMOS管和PMOS管的襯底連接正確的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
為了實(shí)現(xiàn)全局平坦化，在集成電路中，經(jīng)常采用（）工藝。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
薄柵管ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的ESD保護(hù)能力通常為多少？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
關(guān)于電路的層次，自下向上順序正確的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
MOS管版圖一般匹配原則有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
我們利用LOCOS技術(shù)制作MOS中的（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題