多項(xiàng)選擇題?塵埃的測(cè)量方法有（）。
A.重量法
B.四探針?lè)?br/>C.過(guò)濾法
D.計(jì)數(shù)法
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1.單項(xiàng)選擇題?高效過(guò)濾器的英文簡(jiǎn)稱是（）。?
A.LEPA
B.HEPA
C.MIC
D.DHF
2.單項(xiàng)選擇題?第一個(gè)鍺晶體管是（）年發(fā)明?。
A.1946
B.1947
C.1957
D.1958
3.多項(xiàng)選擇題硅的四種摻雜方式有以下幾種？（）
A.離子注入
B.擴(kuò)散摻雜法
C.中子嬗變摻雜
D.原位摻雜
4.單項(xiàng)選擇題下列哪個(gè)雜質(zhì)允許在硅中存在的？（）
A.Cu
B.C
C.Na
D.O
5.多項(xiàng)選擇題微電子產(chǎn)業(yè)的特點(diǎn)有（）。
A.對(duì)材料及產(chǎn)品可靠性要求高
B.制造環(huán)境要求高
C.商品壽命短
D.技術(shù)含量高，人才需要大
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三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無(wú)各種廢品。
題型：判斷題
厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
摻雜后，退火的目的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。
題型：判斷題
光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題