多項(xiàng)選擇題硅的四種摻雜方式有以下幾種？（）
A.離子注入
B.擴(kuò)散摻雜法
C.中子嬗變摻雜
D.原位摻雜
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1.單項(xiàng)選擇題下列哪個(gè)雜質(zhì)允許在硅中存在的？（）
A.Cu
B.C
C.Na
D.O
2.多項(xiàng)選擇題微電子產(chǎn)業(yè)的特點(diǎn)有（）。
A.對(duì)材料及產(chǎn)品可靠性要求高
B.制造環(huán)境要求高
C.商品壽命短
D.技術(shù)含量高，人才需要大
3.多項(xiàng)選擇題發(fā)明集成電路的公司有（）。
A.英偉達(dá)
B.仙童半導(dǎo)體
C.英特爾
D.德州儀器
4.單項(xiàng)選擇題麒麟980芯片采用的工藝水平是（）。
A.10nm
B.5nm
C.7nm
D.9nm
5.單項(xiàng)選擇題?形成B的超淺結(jié)摻雜（劑量為QB）時(shí)，為了避免溝道效應(yīng)可否先注入銻（劑量為QSb）再注入硼？實(shí)際注入了多少硼？（）
A.可以，實(shí)際注硼：QB
B.不可以
C.可以，實(shí)際注硼：QB+QSb
D.可以，實(shí)際注硼：QB-QSb
最新試題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
摻雜后退火時(shí)間一般在（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
摻雜后，退火的目的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
互連工藝中AL的制備可選用（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
金屬化中可選用的金屬材料有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題