單項(xiàng)選擇題下列哪個(gè)雜質(zhì)允許在硅中存在的？（）
A.Cu
B.C
C.Na
D.O
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1.多項(xiàng)選擇題微電子產(chǎn)業(yè)的特點(diǎn)有（）。
A.對(duì)材料及產(chǎn)品可靠性要求高
B.制造環(huán)境要求高
C.商品壽命短
D.技術(shù)含量高，人才需要大
2.多項(xiàng)選擇題發(fā)明集成電路的公司有（）。
A.英偉達(dá)
B.仙童半導(dǎo)體
C.英特爾
D.德州儀器
3.單項(xiàng)選擇題麒麟980芯片采用的工藝水平是（）。
A.10nm
B.5nm
C.7nm
D.9nm
4.單項(xiàng)選擇題?形成B的超淺結(jié)摻雜（劑量為QB）時(shí)，為了避免溝道效應(yīng)可否先注入銻（劑量為QSb）再注入硼？實(shí)際注入了多少硼？（）
A.可以，實(shí)際注硼：QB
B.不可以
C.可以，實(shí)際注硼：QB+QSb
D.可以，實(shí)際注硼：QB-QSb
5.單項(xiàng)選擇題在離子注入摻雜時(shí)，有少部分雜質(zhì)進(jìn)入襯底后穿過(guò)較大距離，這種現(xiàn)象就是（）。當(dāng)偏離晶向（）ψc注入時(shí)，可以避免。
A.橫向效應(yīng)，>
B.橫向效應(yīng)，<
C.溝道效應(yīng)，<
D.溝道效應(yīng)，>
最新試題
金屬化中可選用的金屬材料有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
互連工藝中AL的制備可選用（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
消除鳥(niǎo)嘴效應(yīng)的方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開(kāi)始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題