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問答題什么是氧化硅中網(wǎng)絡(luò)形成者和網(wǎng)絡(luò)改變者？并舉二例說明它們對氧化層結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的影響。

1.問答題指出硅工藝中厚度最小的和最大的氧化層的主要應(yīng)用，并說明它們的作用是否相同，以及為什么。

2.問答題什么是表面鈍化？它的主要作用是什么？當前CMOS工藝中最典型的表面鈍化層采用何種材料？

3.問答題試說明氧化層在硅工藝中的四種主要用途及主要原因，并舉例說明各種用途的主要目的。

4.問答題列出氧化硅的五種主要物理參數(shù)，并說明實際中如何測試氧化層厚度。

密度，折射率，電阻率，介電強度，（相對）介電常數(shù)。
實際中可用折射率，介質(zhì)強度和介電常數(shù)來測量。

5.問答題試說明熱氧化反應(yīng)為什么發(fā)生在Si—SiO₂界面上，以及這種反應(yīng)機制有何好處？

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