問答題試說明熱氧化法的兩種基本方法及每種方法的生長機理(或過程),并比較兩種方法的主要異同點。
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最新試題
說明氧化氣氛對擴散有何影響及原因?
題型:問答題
在PN 結中,P 區(qū)的電勢比N 區(qū)高。
題型:判斷題
因電場作用所產(chǎn)生的運動稱為擴散運動。
題型:判斷題
下列半導體材料熱敏特性突出的是()
題型:單項選擇題
自由電子帶負電,空穴帶正電。
題型:判斷題
在PN 結形成過程中,空穴的擴散運動方向是從P 區(qū)到N 區(qū)。
題型:判斷題
二極管交流等效電路參數(shù)與其靜態(tài)參數(shù)無關。
題型:判斷題
淀積擴散主要受哪些因素的控制?
題型:問答題
試說明半導體制造中擴散工藝的主要目的。列出并解釋實際擴散工藝的主要步驟,并說明個步驟的主要作用和工藝溫度。
題型:問答題
二極管存在最高工作頻率是因為PN 結有電容效應。
題型:判斷題