單項(xiàng)選擇題隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RAM中的內(nèi)容，當(dāng)電源斷掉后又接通，存儲(chǔ)器中的內(nèi)容（）
A.全部改變
B.全部為1
C.不確定
D.保持不變
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1.單項(xiàng)選擇題只讀存儲(chǔ)器ROM在運(yùn)行時(shí)具有（）功能。
A.讀/無(wú)寫
B.無(wú)讀/寫
C.讀/寫
D.無(wú)讀/無(wú)寫
2.單項(xiàng)選擇題欲將容量為256*1的RAM擴(kuò)展為1024*8，則需要控制各片選端的輔助譯碼器的輸入端數(shù)為（）
A.4
B.2
C.3
D.8
3.單項(xiàng)選擇題欲將容量為128*1的RAM擴(kuò)展為1024*8，則需要控制各片選端的輔助譯碼器的輸出端數(shù)為（）
A.1
B.2
C.3
D.8
4.單項(xiàng)選擇題采用對(duì)稱雙地址結(jié)構(gòu)尋址的1024*1的存儲(chǔ)矩陣有（）
A.10行10列
B.5行5列
C.32行32列
D.1024行1024列
5.單項(xiàng)選擇題某存儲(chǔ)器具有8根地址線和8根雙向數(shù)據(jù)線，則該存儲(chǔ)器的容量為（）
A.8*3
B.8K*8
C.256*8
D.256*256
最新試題
如圖所示，則F=（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
若n個(gè)變量的同或運(yùn)算和異或運(yùn)算結(jié)果相同，則n為奇數(shù)（）
題型：判斷題
如圖，此電路的輸入端I0_L是低電平有效，輸出A2A1A0是高電平有效，AVALID有效表示的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
?兩個(gè)二進(jìn)制數(shù)的補(bǔ)碼相加，有溢出的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
如圖，是151的電路設(shè)計(jì)，其中輸入端的使用了6個(gè)反相器，而實(shí)現(xiàn)邏輯功能應(yīng)該可以省掉三個(gè)，為什么這么設(shè)計(jì)（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
關(guān)于集成塊的輸出單元，下列說(shuō)法中正確的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
?十進(jìn)制數(shù)178.5對(duì)應(yīng)的余3碼是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
?數(shù)字設(shè)計(jì)的層次主要有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
輸出端不能直接線與的門電路有（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
與模擬電路相比，數(shù)字系統(tǒng)的優(yōu)越性主要體現(xiàn)在（）。
題型：多項(xiàng)選擇題