單項選擇題一個容量為512*1的靜態(tài)RAM具有（）
A.地址線9根，數(shù)據(jù)線1根
B.地址線1根，數(shù)據(jù)線9根
C.地址線512根，數(shù)據(jù)線9根
D.地址線9根，數(shù)據(jù)線512根
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1.單項選擇題隨機存取存儲器RAM中的內(nèi)容，當電源斷掉后又接通，存儲器中的內(nèi)容（）
A.全部改變
B.全部為1
C.不確定
D.保持不變
2.單項選擇題只讀存儲器ROM在運行時具有（）功能。
A.讀/無寫
B.無讀/寫
C.讀/寫
D.無讀/無寫
3.單項選擇題欲將容量為256*1的RAM擴展為1024*8，則需要控制各片選端的輔助譯碼器的輸入端數(shù)為（）
A.4
B.2
C.3
D.8
4.單項選擇題欲將容量為128*1的RAM擴展為1024*8，則需要控制各片選端的輔助譯碼器的輸出端數(shù)為（）
A.1
B.2
C.3
D.8
5.單項選擇題采用對稱雙地址結(jié)構(gòu)尋址的1024*1的存儲矩陣有（）
A.10行10列
B.5行5列
C.32行32列
D.1024行1024列
最新試題
TTL門電路具有負載能力強、抗干擾能力強和轉(zhuǎn)換速度高等特點。
題型：判斷題
?數(shù)字設計的層次主要有（）。
題型：多項選擇題
二進制加法運算包含的輸入、輸出變量有（）。
題型：多項選擇題
已知有二輸入邏輯門，只有當輸X和Y都為1時，輸出F才為1，則X，Y與F的邏輯關(guān)系為（）。
題型：單項選擇題
若集成塊內(nèi)部為驅(qū)動單元提供的驅(qū)動能力為1X，最小反相器（1X）延遲時間為2，對于下圖所示的輸出緩沖設計（圖中反相器上面標注了相應的驅(qū)動能力），該輸出單元的延遲時間（從a到y(tǒng)）最接近于（）。
題型：單項選擇題
對于D觸發(fā)器，如果時鐘頻率為10MHz，輸出信號Q的頻率可能是（）MHz。
題型：多項選擇題
為實現(xiàn)將D觸發(fā)器轉(zhuǎn)換為T觸發(fā)器，下圖所示電路的虛框內(nèi)應是（）。
題型：單項選擇題
?如圖所示電路論述正確的是（）。
題型：多項選擇題
邏輯函之間滿足（）關(guān)系。
題型：多項選擇題
關(guān)于集成塊的輸出單元，下列說法中正確的是（）。
題型：多項選擇題