BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動(dòng)能力。

集成電路電阻可以通過(guò)（）產(chǎn)生。

說(shuō)明MOS器件噪聲的來(lái)源、成因及減小方法。

什么是電阻率？它的單位是什么（國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來(lái)區(qū)別。

在晶體材料中，對(duì)于長(zhǎng)程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響？