單項(xiàng)選擇題?硅晶體內(nèi)部的空間利用率是()。?
A.24%
B.34%
C.44%
D.66%
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1.多項(xiàng)選擇題?塵埃的測(cè)量方法有()。
A.重量法
B.四探針法
C.過濾法
D.計(jì)數(shù)法
2.單項(xiàng)選擇題?高效過濾器的英文簡(jiǎn)稱是()。?
A.LEPA
B.HEPA
C.MIC
D.DHF
3.單項(xiàng)選擇題?第一個(gè)鍺晶體管是()年發(fā)明?。
A.1946
B.1947
C.1957
D.1958
4.多項(xiàng)選擇題硅的四種摻雜方式有以下幾種?()
A.離子注入
B.擴(kuò)散摻雜法
C.中子嬗變摻雜
D.原位摻雜
5.單項(xiàng)選擇題下列哪個(gè)雜質(zhì)允許在硅中存在的?()
A.Cu
B.C
C.Na
D.O
最新試題
消除鳥嘴效應(yīng)的方法有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光刻工藝的特點(diǎn)包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
芯片粘接的工藝過程包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。
題型:判斷題
下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查,是否有出現(xiàn)廢品?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
硅暴露在空氣中,在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層,厚度約為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題