進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。