CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。