光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

常壓的硅外延方法有（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）