判斷題離子注入硼無(wú)需退火就有電活性，所以才會(huì)出現(xiàn)隨退火溫度升高反而電激活率下降的逆退火現(xiàn)象。

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1.多項(xiàng)選擇題關(guān)于離子注入?yún)^(qū)形成非晶層的臨界劑量，下面哪幾種說(shuō)法正確（）

A.靶溫升高，臨界劑量上升
B.注入離子越輕，臨界劑量越小
C.注入離子劑量率增大，臨界劑量降低
D.注入離子能量越高，臨界劑量越低

2.多項(xiàng)選擇題擴(kuò)散系數(shù)在何時(shí)不可以看成是常數(shù)（）

A.在本征硅上擴(kuò)散摻入中等濃度的雜質(zhì)硼
B.在重?fù)诫sp型硅上擴(kuò)散摻入n型雜質(zhì)
C.在中等濃度p型硅上擴(kuò)散摻入n型雜質(zhì)
D.在本征硅上擴(kuò)散摻入高濃度的雜質(zhì)硼，同時(shí)進(jìn)行氧化

3.單項(xiàng)選擇題擴(kuò)散摻雜，擴(kuò)散區(qū)要比掩膜窗口尺寸（），這是（）效應(yīng)引起的，它直接影響超大規(guī)模集成電路的集成度。

A.大，場(chǎng)助擴(kuò)散
B.大，橫向擴(kuò)散
C.小，橫向擴(kuò)散
D.大，氧化增強(qiáng)

5.單項(xiàng)選擇題通常掩膜氧化采用的工藝方法為（）

A.干氧
B.干氧-濕氧-干氧
C.摻氯氧化
D.低壓氧化