單項選擇題擴(kuò)散摻雜，擴(kuò)散區(qū)要比掩膜窗口尺寸（），這是（）效應(yīng)引起的，它直接影響超大規(guī)模集成電路的集成度。
A.大，場助擴(kuò)散
B.大，橫向擴(kuò)散
C.小，橫向擴(kuò)散
D.大，氧化增強
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2.單項選擇題通常掩膜氧化采用的工藝方法為（）
A.干氧
B.干氧-濕氧-干氧
C.摻氯氧化
D.低壓氧化
3.多項選擇題在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪種外延方法能生長雜質(zhì)陡變分布的薄外延層（）
A.MBE
B.VPE、LPE
C.UHV/CVD
D.SEG、SPE
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厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
題型：單項選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
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題型：單項選擇題