最新試題
試說(shuō)明擴(kuò)散工藝中常用的擴(kuò)散摻雜方法,并說(shuō)明當(dāng)前實(shí)際工藝中使用的主要方法及理由。
題型:?jiǎn)柎痤}
結(jié)電容是常量。
題型:判斷題
發(fā)射區(qū)推進(jìn)效應(yīng)
題型:名詞解釋
試說(shuō)明橫向擴(kuò)散以及橫向擴(kuò)散的主要影響。
題型:?jiǎn)柎痤}
與多數(shù)載流子相比,少數(shù)載流子的濃度受溫度影響大。
題型:判斷題
OED/ORD
題型:名詞解釋
試說(shuō)明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B,P,As的擴(kuò)散特性。
題型:?jiǎn)柎痤}
根據(jù)空位機(jī)制下的總擴(kuò)散系數(shù)公式,給出本征硅,低濃度摻雜,N型重?fù)诫s及P型重?fù)诫s下的擴(kuò)散系數(shù)公式。
題型:?jiǎn)柎痤}
點(diǎn)接觸型比面接觸型二極管的結(jié)電容面積小,因此其最高工作頻率低。
題型:判斷題
在P 型半導(dǎo)體中,空穴濃度大于自由電子濃度。
題型:判斷題