多項選擇題可以采取哪種方法來提高光刻分辨率（）
A.增長光源波長
B.增大分辨率系數(shù)
C.減小分辨率系數(shù)
D.縮短光源波長
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1.多項選擇題下列哪個工藝方法應(yīng)用了等離子體技術(shù)（）
A.RIE
B.MOCVD
C.濺射
D.LPCVD
2.單項選擇題實際VPE工藝溫度多在質(zhì)量傳遞控制區(qū)，此時外延速率（）
A.對溫度不太敏感
B.對溫度非常敏感
C.源的氣相擴散的影響不大
D.源氣體分壓的影響不大
5.判斷題中子嬗變摻雜不能用于制備p型硅錠。
最新試題
碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
題型：判斷題
下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
題型：單項選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：單項選擇題
互連工藝中AL的制備可選用（）。
題型：多項選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：單項選擇題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：單項選擇題
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
題型：多項選擇題
摻雜后退火時間一般在（）。
題型：單項選擇題
如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）
題型：單項選擇題
刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
題型：多項選擇題