CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

PN結(jié)的基本特性是（）

直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）