單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法(GB/T2542-2003)標(biāo)準(zhǔn)中裂紋長度以在三個方向上分別測得的()作為測量結(jié)果。
A、最長裂紋
B、最短裂紋
C、裂紋長度平均值
D、裂紋長度總和
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1.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法(GB/T2542-2003)標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定高度應(yīng)在磚的兩個()的中間處分別測量兩個尺寸。當(dāng)被測處有缺損或凸出時,可在其旁邊測量,但應(yīng)選擇不利的一側(cè)。精確至()。
A、大面1mm
B、條面1mm
C、大面0.5mm
D、條面0.5mm
2.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法(GB/T2542-2003)標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定寬度應(yīng)在磚的兩個()的中間處分別測量兩個尺寸。當(dāng)被測處有缺損或凸出時,可在其旁邊測量,但應(yīng)選擇不利的一側(cè)。精確至()。
A、大面.1mm
B、條面.1mm
C、大面.0.5mm
D、條面.0.5mm
3.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法(GB/T2542-2003)標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定長度應(yīng)在磚的兩個()的中間處分別測量兩個尺寸。當(dāng)被測處有缺損或凸出時,可在其旁邊測量,但應(yīng)選擇不利的一側(cè)。精確至()。
A、大面.1mm
B、條面.1mm
C、大面.0.5mm
D、條面.0.5mm
4.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法(GB/T2542-2003)標(biāo)準(zhǔn)中尺寸測量的量具應(yīng)為()。
A、游標(biāo)卡尺
B、直尺
C、卷尺
D、磚用卡尺
5.問答題裝飾塑料制品的種類有哪些?其用途如何?
最新試題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:單項(xiàng)選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型:單項(xiàng)選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
題型:單項(xiàng)選擇題
PN結(jié)的基本特性是()
題型:單項(xiàng)選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:單項(xiàng)選擇題
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時,該表面態(tài)為();
題型:單項(xiàng)選擇題
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
題型:單項(xiàng)選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
題型:單項(xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
題型:單項(xiàng)選擇題