單項選擇題粉煤灰磚(JC239-2001)標準中,每粉煤灰磚每()塊為一批,不足該數(shù)量亦按一批計。
A、3.5~15萬
B、15萬
C、10萬
D、1萬
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1.單項選擇題粉煤灰磚(JC239-2001)標準中粉煤灰磚各項技術(shù)要求的指標的試驗按()的規(guī)定進行。
A、GB/T2542
B、GB/T11969
C、GB/T4111
D、以上標準都不對
2.單項選擇題粉煤灰磚(JC239-2001)標準中規(guī)定粉煤灰磚色差的試驗方法為:?。ǎK粉煤灰磚,平放在地上,在自然光照下,距離樣品1.5m處目測,無明顯色差。
A、30
B、36
C、40
D、50
3.單項選擇題粉煤灰磚(JC239-2001)標準規(guī)定優(yōu)等品磚的強度等級應(yīng)不低于()
A、MU25
B、MU20
C、MU15
D、MU10
4.單項選擇題粉煤灰磚(JC239-2001)標準規(guī)定集料應(yīng)符合相應(yīng)標準規(guī)定,放射性性質(zhì)應(yīng)符合()的規(guī)定。
A、JC/T.409
B、JC/T.621
C、GB.175
D、GB.6763
5.單項選擇題粉煤灰磚(JC239-2001)標準規(guī)定的粉煤灰磚不得用于長期受熱()℃以上、受急冷急熱和有酸性介質(zhì)的建筑部位的建筑部位。
A、100
B、200
C、250
D、300
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制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
題型:單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
題型:單項選擇題
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
題型:單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
題型:單項選擇題
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題型:單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
題型:單項選擇題
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題型:單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
題型:單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
題型:單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括()
題型:單項選擇題