A、速凝
B、離析
C、泌水
D、蠕動
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A、砼拌合物應在滿足施工要求的前提下,盡可能采用較小的坍落度
B、泵送高強砼的坍落擴展度不宜小于500mm
C、自密實砼的坍落擴展度不宜小于600mm
D、泵送砼拌合物的坍落度經(jīng)時損失不宜大于30mm/h
A、砼拌合用水必須達到飲用水質(zhì)量標準
B、砼拌合用水不得使用低于5℃的深井水
C、未經(jīng)處理的海水嚴禁用于鋼筋砼和預應力砼
D、當骨料具有堿活性時,砼拌合用水不得采用砼企業(yè)生產(chǎn)設(shè)備洗漱水
A、pH值
B、水泥凝結(jié)時間差
C、氯離子含量
D、可溶物含量
A、外加劑應與水泥具有良好的適應性,其種類和摻量應經(jīng)試驗確定
B、外加劑中的氯離子和堿含量應滿足砼設(shè)計要求
C、大體積砼宜采用緩凝劑或緩凝減水劑
D、宜采用液態(tài)外加劑
A、砼宜采用硅酸鹽和普通硅酸鹽水泥
B、礦物摻合料的種類和摻量應經(jīng)試驗確定
C、不得同時摻用兩種或兩種以上的礦物摻合料
D、宜與高效減水劑同時使用
最新試題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
下列哪個不是單晶常用的晶向()
硅片拋光在原理上不可分為()