A、生產(chǎn)使用的原材料應(yīng)與配合比設(shè)計(jì)一致
B、砼拌合物性能應(yīng)滿足施工要求
C、砼強(qiáng)度評(píng)定應(yīng)符合設(shè)計(jì)要求
D、砼耐久性能應(yīng)符合設(shè)計(jì)要求
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A、速凝
B、離析
C、泌水
D、蠕動(dòng)
A、砼拌合物應(yīng)在滿足施工要求的前提下，盡可能采用較小的坍落度
B、泵送高強(qiáng)砼的坍落擴(kuò)展度不宜小于500mm
C、自密實(shí)砼的坍落擴(kuò)展度不宜小于600mm
D、泵送砼拌合物的坍落度經(jīng)時(shí)損失不宜大于30mm/h
A、砼拌合用水必須達(dá)到飲用水質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)
B、砼拌合用水不得使用低于5℃的深井水
C、未經(jīng)處理的海水嚴(yán)禁用于鋼筋砼和預(yù)應(yīng)力砼
D、當(dāng)骨料具有堿活性時(shí)，砼拌合用水不得采用砼企業(yè)生產(chǎn)設(shè)備洗漱水
A、pH值
B、水泥凝結(jié)時(shí)間差
C、氯離子含量
D、可溶物含量
A、外加劑應(yīng)與水泥具有良好的適應(yīng)性，其種類和摻量應(yīng)經(jīng)試驗(yàn)確定
B、外加劑中的氯離子和堿含量應(yīng)滿足砼設(shè)計(jì)要求
C、大體積砼宜采用緩凝劑或緩凝減水劑
D、宜采用液態(tài)外加劑
最新試題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
硅片拋光在原理上不可分為（）
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
PN結(jié)的基本特性是（）