A、表面與外界溫差不宜大于20℃
B、養(yǎng)護過程應進行溫度控制
C、砼內(nèi)部和表面溫差不宜大于25℃
D、大體積砼養(yǎng)護應分為靜停、升溫、恒溫和降溫四個養(yǎng)護階段
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A、當表面與外界溫差不大于20℃時,構件方可出池或撤除養(yǎng)護措施
B、降溫速度不宜超過20℃/h
C、靜停時間不宜少于24h
D、采用蒸汽養(yǎng)護時,應分為靜停、升溫、恒溫和降溫四個養(yǎng)護階段
A、帶模蓄熱養(yǎng)護
B、隧道窯蒸熱養(yǎng)護
C、養(yǎng)護坑濕熱養(yǎng)護
D、蒸壓釜蒸熱養(yǎng)護
A、澆水濕潤養(yǎng)護
B、隧道窯蒸熱養(yǎng)護
C、冬季蓄熱養(yǎng)護
D、噴涂養(yǎng)護劑養(yǎng)護
A、拆模試件
B、張拉試件
C、合格評定試件
D、吊裝試件
A、當砼自由傾落高度大于3米時,宜采用串筒、溜槽等輔助設備
B、澆筑清水砼時,應多次澆筑,不宜連續(xù)成型
C、澆筑豎向尺寸較大的結構時,應分層澆筑,每層厚度控制在300~350mm
D、在同一時間段交替泵送不同強度等級砼時,輸送管中不得混入其它不同強度等級砼
最新試題
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
可用作硅片的研磨材料是()
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應;③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結會產(chǎn)生光生伏特效應。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()