A、抗氯離子滲透性能
B、劈裂抗拉性能
C、抗碳化性能
D、早期抗裂性能
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A、因素分析法
B、統(tǒng)計法
C、加權(quán)比例法
D、非統(tǒng)計法
A、強度等級相同
B、強度試驗齡期相同
C、砼生產(chǎn)工藝條件基本相同
D、砼配合比基本相同
A、同一工程、同一配比、采用同一批次水泥和外加劑的砼的凝結(jié)時間應(yīng)至少檢驗1次
B、同一工程、同一配比的砼的氯離子含量應(yīng)至少檢驗1次
C、同一工程、同一配比、采用同一批次海砂的砼的氯離子含量應(yīng)至少檢驗1次
D、砼坍落度的取樣檢驗頻率與砼強度檢驗相同
A、不同批次或非連續(xù)供應(yīng)的不足一個檢驗批量的砼原材料應(yīng)作為一個檢驗批
B、來源穩(wěn)定且連續(xù)三次檢驗合格的砼原材料可將檢驗批量擴大一倍
C、散裝水泥應(yīng)按每500噸為一個檢驗批
D、同一廠家的同批出廠,用于同時施工且屬于同一工程項目的多個單位工程的砼原材料可將檢驗批量擴大一倍
A、砼強度達到設(shè)計強度等級的50%時,方可撤除養(yǎng)護措施
B、砼受凍前的強度不得低于5MPa
C、日均氣溫低于5℃時,不得采用澆水自然養(yǎng)護
D、模板和保溫層應(yīng)在砼冷卻到5℃方可拆除
最新試題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
下列哪個不是單晶常用的晶向()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()