A、因素分析法
B、統(tǒng)計法
C、加權(quán)比例法
D、非統(tǒng)計法
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、強度等級相同
B、強度試驗齡期相同
C、砼生產(chǎn)工藝條件基本相同
D、砼配合比基本相同
A、同一工程、同一配比、采用同一批次水泥和外加劑的砼的凝結(jié)時間應(yīng)至少檢驗1次
B、同一工程、同一配比的砼的氯離子含量應(yīng)至少檢驗1次
C、同一工程、同一配比、采用同一批次海砂的砼的氯離子含量應(yīng)至少檢驗1次
D、砼坍落度的取樣檢驗頻率與砼強度檢驗相同
A、不同批次或非連續(xù)供應(yīng)的不足一個檢驗批量的砼原材料應(yīng)作為一個檢驗批
B、來源穩(wěn)定且連續(xù)三次檢驗合格的砼原材料可將檢驗批量擴大一倍
C、散裝水泥應(yīng)按每500噸為一個檢驗批
D、同一廠家的同批出廠,用于同時施工且屬于同一工程項目的多個單位工程的砼原材料可將檢驗批量擴大一倍
A、砼強度達到設(shè)計強度等級的50%時,方可撤除養(yǎng)護措施
B、砼受凍前的強度不得低于5MPa
C、日均氣溫低于5℃時,不得采用澆水自然養(yǎng)護
D、模板和保溫層應(yīng)在砼冷卻到5℃方可拆除
A、表面與外界溫差不宜大于20℃
B、養(yǎng)護過程應(yīng)進行溫度控制
C、砼內(nèi)部和表面溫差不宜大于25℃
D、大體積砼養(yǎng)護應(yīng)分為靜停、升溫、恒溫和降溫四個養(yǎng)護階段
最新試題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
改良西門子法的顯著特點不包括()
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
硅片拋光在原理上不可分為()