多項選擇題以下關(guān)于砼拌合物坍落度試驗坍落度值測量的描述,不正確的有()。
A、提筒后,測量筒高與坍落后試體最高點之間的高度差,作為坍落度值
B、提筒后,測量筒高與坍落后試體最低點之間的高度差,作為坍落度值
C、提筒后,測量筒高與坍落后試體最高點和最低點之間的高度差,取其平均值作為坍落度值
D、提筒后,應在150s后測量坍落度值
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.多項選擇題以下關(guān)于砼拌合物坍落度試驗部分操作步驟的描述,不正確的有()。
A.試驗前應潤濕坍落度筒及底板
B、拌合物應分二層均勻地裝入坍落度筒內(nèi)
C、每層可用直徑為Φ25mm的振動棒振搗密實
D、頂層插搗完后,刮去多余的砼,并用抹刀抹平
2.多項選擇題大流動性砼拌合物坍落擴展后,可以用來表征拌合物抗離析性能差的表觀現(xiàn)象有()。
A、粗骨料在中央集堆
B、大量水泥漿從邊緣析出
C、坍落體不停向外蠕動擴展
D、A、B、C選項都對
3.多項選擇題大流動性砼拌合物坍落后不同方向的直徑差異大時,除與拌合物的抗離析性能差有關(guān)外,還可能受()影響。
A、插搗不均勻
B、提筒時歪斜
C、底板干濕不勻
D、底板傾斜
4.多項選擇題砼拌合物的稠度可根據(jù)拌合物稠度大小選用()試驗方法來測定。
A、坍落度法
B、坍落擴展度法
C、維勃稠度法
D、增實因素法
5.多項選擇題砼拌合物的和易性可用()性能來表征。
A、流動性
B、凝結(jié)時間
C、黏聚性
D、保水性
最新試題
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
題型:單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
題型:單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
題型:單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是()
題型:單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
題型:單項選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
題型:單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項選擇題